スイッチ素子FETの導通損失はFETがONしたときに発生し、以下の式となります。
- Rds（ON）
- ON時のドレイン–ソース間抵抗［Ohm］
- Iout
- 負荷電流［A］
- D
- オン・デューティ
Rds（ON）が小さいFETを使うと導通損は小さくなりますが、一般的にFETの世代ごとにRds（ON）×Ciss（FET入力容量）は一定になるため、 Rds（ON）が小さくなると、反対にCissは大きくなり、この後に説明するスイッチング損失に影響します。
そのため、FETは電源仕様に合わせて最適な特性のFETを選択する必要があります。