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电容器选择指南

村田提供多种电容器。
本页面登载了各产品的电压和容量范围的图表、特征及性能比较信息。
请将其用于根据产品特性和用途选择理想的产品。

电容器图片

产品映射(静电容量×额定电压)

产品映射的图
  • ※硅电容器显示的电压范围为在100°C的温度环境下产品寿命为10年的建议电压。

产品特征比较

SMD组

好 > 出众 > 平均 > 差

可左右滑动屏幕 请使用横屏浏览
电容器种类 片状多层陶瓷电容器 钽电容器 罐型铝电解
电容器
(SMD)
聚合物铝电解
电容器
单层微片电容器 Thin Film Circuit Substrates
(RUSUB)
可变电容器 硅电容器
高介电常数型 用于温度补偿
外观 本公司不提供 本公司不提供
高容量 请确认静电容量×电压的图形
低ESR 好 好 平均 平均 好 好 好 差 好
温度特性 出众 好 出众 出众 好 好 好 出众 好
DC偏压特性 平均 好 好 好 好 好 好 差 好
支持高频 好 好 差 差 平均 好 好 差 好
高电压 请确认静电容量×电压的图形
小型/薄型 好 好 平均 差 平均 平均 平均 出众 好
啸叫 平均 好 好 好 好 - - 好 好
长寿命 好 好 平均 平均 好 好 好 平均 好
故障模式 短路 短路 短路 开路 开路 短路 短路 短路 短路

带引线组

好 > 出众 > 平均 > 差

可左右滑动屏幕 请使用横屏浏览
电容器种类 引线型圆板陶瓷电容器 引线型多层陶瓷电容器 罐型铝电解电容器
(带引线)
高介电常数型 用于温度补偿 高介电常数型 用于温度补偿
外观 本公司不提供
高容量 平均 差 出众 平均 好
低ESR 出众 出众 出众 出众 平均
温度特性 出众 好 出众 好 出众
DC偏压特性 平均 好 平均 好 好
支持高频 出众 出众 出众 出众 差
高电压 好 好 出众 出众 差
小型/薄型 出众 出众 好 好 差
啸叫 平均 好 平均 好 好
长寿命 好 好 好 好 平均
故障模式 短路 短路 短路 短路 开路

各产品的概要

可左右滑动屏幕 请使用横屏浏览
种类 静电容量 额定电压 特征 建议的使用方法 建议的用途
陶瓷电容器 SMD 0.1pF~330µF 2.5~3150V 我们拥有丰富的产品阵容。
  • 平滑
  • 去耦
  • 备份
  • 峰值辅助
  • 阻抗匹配
  • 频率匹配

等

我们备有一系列适合民用和车载市场等多种市场用途的产品。
详情请通过各系列的页面确认。
带引线 1.0pF~47µF 25~1500V

该产品将引线与陶瓷电容器的电极接合在一起,然后涂上树脂。有多层陶瓷电容器和圆板型陶瓷电容器2种。
引线型多层陶瓷电容器除了具有体积小、容量大、长期可靠性好等特征外,还因为树脂涂层和引线而拥有耐候性和高贴装灵活度。
我们的引线型圆板陶瓷电容器拥有已经过多种安全标准认证的产品阵容。

导电性聚合物片式铝电解电容器 15µF~470µF 2.5~25V

村田的导电性高分子铝电解电容器“ECAS系列”具有大容量、低ESR、低阻抗的特长。
这有助于减少元件数量和缩小基板面积。而且,由于静电容量没有DC偏压特性,温度特性也稳定,因此具有优异的纹波吸收、平滑和瞬态响应性能。
它非常适合用于平滑多种电源电路的输入/输出段以及对CPU周边的负载波动进行备份。

  • 平滑
  • 去耦
  • 备份
  • 峰值辅助
笔记本电脑、个人电脑、服务器、存储器、基站、电视、游戏、处理器 [ASIC/FPGA/xPU]、复印机、POS [Point Of Sales]、物联网设备、机器人控制、PoE [Power over Ethernet]
单层微片电容器 0.1pF~620pF 100V

单层陶瓷电容器的标准目录产品。
这是采用高Q值、高介电常数的介电材料的金电极单层电容器,具有优异的可靠性和频率特性。由于使用了金电极,因此可以用AuSn进行芯片键合,用金线进行引线键合。
为了提高贴装和使用的便利性,可以预先在金电极表面涂覆一层AuSn。

  • 阻抗匹配
  • 去耦
基站、光通信
Thin Film Circuit Substrates(RUSUB) 0.1pF~ 100V
200V

此为定制的单层陶瓷电容器产品,基板尺寸、容量值、电阻值均可调整。
通过将薄膜电阻与采用高Q值、高介电常数的介电材料的金电极单层结构电容器组合,可以将其用于CR复合元件,有助于降低设备损耗并实现设备小型化。
通过薄膜微细加工技术可以形成高精度微细图案,并且该产品还支持使用金线进行引线键合。

  • 阻抗匹配
  • 去耦
基站、光通信
可变电容器
※预计停产产品。
33pF~200pF@0V 3.2 / 5.3V

可变电容器是在硅上形成的电容器。
在3V或5V的恒定电压下,容量值可变化50%。用于NFC等的频率匹配。

  • 频率匹配
RFID、POS [Point Of Sales]、物联网设备
硅电容器 22pF~1µF BV11~BV150※

村田的硅电容器采用专有的半导体MOS工艺技术,有助于大幅提高静电容量密度,并实现产品的小型化和薄型化。
此外,硅电容器还通过使用顺电体材料,使其实现了对温度和电压非常稳定的电气特性。

  • 直流去耦
  • 交流耦合
民用设备、工业设备、汽车信息娱乐/舒适设备、汽车动力总成/安全设备、医疗设备 [GHTF A/B]、医疗设备 [GHTF C]、移动设备、移动通信、民用设备-差分传输、HDD、双重进纸检测