硅电容器UBEC / BBEC / ULEC系列

支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器: UBEC/BBEC/ULEC系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），UBEC系列、BBEC系列、ULEC系列，分别在60+GHz、40GHz、20GHz，实现出色的静噪性能。这里所使用的深槽硅电容器，是应用半导体的MOS工艺开发的。

UBEC/BBEC/ULEC系列具有极高的可靠性，以及对于温度（+60ppm/K）和电压的静电容量稳定性，而且工作温度范围宽达-55℃ to 150℃。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。此外，这些电容器支持标准的引线键合封装（球和楔）。这些电容器符合RoHS标准，也能提供厚膜铝电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

特点
用途
UBEC / BBEC / ULEC系列规格
UBEC系列
BBEC系列
ULEC系列
装配图
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各产品的装配图请见此处

特点

最大110GHz的超宽带性能
没有共振，可以进行出色的群延迟变化
在传输模式下，凭借出色的抗阻匹配，实现极低的插入损耗
在旁路接地模式下，ESL和ESR很低
对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高
高可靠性
可以进行无铅回流封装

（有关详细信息，请参阅本公司实施应用说明）

用途

光电产品／高速数据
跨阻放大器（TIA）
光收发组件（ROSA/TOSA）
同步光纤网络（SONET）
高速数字逻辑
宽带测试装置
宽带微波／毫米波
X7R与NP0电容器的置换
要求薄型的用途（100μm）

UBEC / BBEC / ULEC系列规格

参数	值
静电容量范围	1nF to 100nF^(*)
静电容量容差	±15% ^(*)
安装方法	引线键合（嵌入）（水平电极）^(*4)
工作温度范围	-55°C to 150°C
保管温度范围	-70°C to 165°C ^(*2)
温度系数	+60 pmm/K
击穿电压 (BV)	11VDC or 30VDC^(*5)
相对于RVDC的静电容量变化	0.1%/V (from 0 to RVDC)
60GHz以下的插入损耗 (IL)	<0.4dB ^(*3)
60GHz以下的反射损耗 (RL)	>20dB ^(*3)
等效串联电感 (ESL)	代表值500pH ^(*3) @ SRF
等效串联电阻 (ESR)	代表值100mΩ ^(*3)
绝缘电阻	100nF的商品 100GΩ（25℃，施加RVDC， 120秒后）
老化	微小， < 0.001% / 1000h
电容器厚度	Max100µm

^(*)也能根据客户要求提供其他的规格值
^(*2)包装材料除外
^(*3)示例：UBEC 10nF/0201M/BV 11V
^(*4)有关各产品的安装方法，请查看装配图。
^(*5)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。

UBEC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

BBEC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
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ULEC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

装配图

有关各产品的安装方法，请查看装配图。

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by wirebond (PDF: 2.0 MB)

UPDATE: 2023/12/1

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