村田*的WBSC/WTSC/WXSC系列,是特地为最高工作温度250℃(WXSC)的重视可靠性的用途而生产的,适用于DC去耦。依靠村田*的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。
本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使电容器的稳定性位居行业榜首(WXSC的最高工作温度为250℃,WTSC为200℃,WBSC为150℃,温度系数为+60ppm/K)。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。
* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)